檢測項目：

　　TEM制樣、投射電鏡制樣(TEM)-FIB雙聚焦離子束

　　檢測范圍：

　　集成電路、芯片

　　檢測標準：

　　GJB 4027A-2006

　　透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱TEM)，可以看到在光學顯微鏡下無法看清的小于0.2um的細微結構，這些結構稱為亞顯微結構或超微結構。

　　基本原理：

　　電子與樣品相互作用后，透射電子主要分為三大類：透射電子，彈性散射電子和非彈性散射電子。這三類電子各司其職，其中透射電子和彈性散射電子均可用于成像。通過調節電鏡參數可以選擇性收集成像電子。如果只選擇透射電子成像，那么可想而知，沒有樣品的地方，電子透過的最多，所以觀察屏上最亮，樣品越重越厚的地方、電子難以透過就越暗。這就是所謂的“明場像”。由于樣品厚薄不均，質量不同而導致的明暗差異被稱為“質厚襯度”。既然有“明場像”，必然就有“暗場像”。所謂“暗場像”是指“收集”散射（衍射）電子成像。因為質量越大、越厚，其散射越強，所以在暗場下其越亮。

　　利用FIB進行各類樣品的TEM樣品制備，包括塊體、薄膜、芯片、顆粒等。破壞范圍小，可對粉末、微納米線、文物制樣。FIB聚焦離子束就像一把尖端只有數十納米的手術刀。離子束在靶材表面產生的二次電子成像具有納米級別的顯微分辨能力，所以聚焦離子束系統相當于一個可以在高倍顯微鏡下操作的微加工臺，它可以用來在任何一個部位濺射剝離或沉積材料。

　　檢測內容：

　　通過FIB離子束來切割集成電路（芯片）指定失效位置，來微觀觀測失效原因及摻雜雜質。微電子、半導體以及各型功能器件領域中，由于涉及工藝較多且繁雜。一款器件的開發測試中總會遇到實際結果與設計指標的偏差，器件測試后的失效，邏輯功能的異常等等，對于上述問題的直觀可靠的分析就是制備相應的器件剖面，從物理層次直觀的表征造成器件異常的原因。

　　微電子、半導體以及各型功能器件領域中，由于涉及工藝較多且繁雜。一款器件的開發測試中總會遇到實際結果與設計指標的偏差，器件測試后的失效，邏輯功能的異常等等，對于上述問題的直觀可靠的分析就是制備相應的器件剖面，從物理層次直觀的表征造成器件異常的原因。

　　無論是透射電鏡還是掃描透射電鏡樣品都需要制備非常薄的樣品，以便電子能夠穿透樣品，形成電子衍射圖像。傳統的制備TEM樣品的方法是機械切片研磨，用這種方法只能分析大面積樣品。采用聚焦離子束則可以對樣品的某一局部切片進行觀察。與切割橫截面的方法一樣，制作TEM樣品是利用聚焦離子束從前后兩個方向加工，在中間留下一個薄的區域作為TEM觀察的樣品。

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