JC/T2023-2010鎢酸鉛閃爍晶體內(nèi)容是什么?百檢網(wǎng)檢測(cè)范圍廣泛，可根據(jù)客戶需求選擇合適的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)及項(xiàng)目安排檢測(cè)，全國(guó)近千家合作實(shí)驗(yàn)室，CMA/CNAS資質(zhì)齊全，可就近安排寄樣檢測(cè)。今天百檢網(wǎng)就給大家簡(jiǎn)單介紹一下JC/T2023-2010鎢酸鉛閃爍晶體標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。

1 范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鎢酸鉛(PbWO4，簡(jiǎn)稱(chēng)PWO)閃爍晶體的術(shù)語(yǔ)和定義、技術(shù)要求、檢測(cè)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于高能粒子探測(cè)用鎢酸鉛閃爍晶體。

2 規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其*新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。

GB/T 4075 密封放射源 一般要求和分級(jí)

GB/T 13181 閃爍體性能測(cè)量方法

GB/T 21389 游標(biāo)、帶表和數(shù)顯卡尺

3 術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T 13181 確定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

3.1 鎢酸鉛閃爍晶體 lead tungstate crystal

鎢酸鉛閃爍晶體為白鎢礦型結(jié)構(gòu)，屬C4h6(I41/a)空間群，化學(xué)式為PbWO4，簡(jiǎn)稱(chēng)PWO。

3.2 光輸出 light output

光輸出為閃爍體發(fā)射光電子數(shù)與該閃爍體吸收的入射輻射能量之比值，單位為 photon electron/MeV，簡(jiǎn)寫(xiě)為p.e./MeV。

3.3 透過(guò)率均勻性 transmission uniformity

透過(guò)率均勻性表示鎢酸鉛閃爍晶體在縱軸方向上不同點(diǎn)處橫向透過(guò)率的均勻程度。

3.4 輻照硬度 radiation hardness

鎢酸鉛閃爍晶體受高能粒子輻照后會(huì)產(chǎn)生輻照傷損，導(dǎo)致透過(guò)率和光輸出降低，輻照硬度表示鎢酸鉛閃爍晶體的抗輻照損傷性能。

4 技術(shù)要求

4.1 外觀

外觀應(yīng)無(wú)色透明，無(wú)夾雜、裂紋、劃痕、崩邊。

外表面應(yīng)平整、清潔，無(wú)明顯的機(jī)械損傷，無(wú)肉眼可見(jiàn)的裂紋、色斑與其他外觀缺陷。

4.2 尺寸公差

外形尺寸公差不超過(guò)±0.1mm。

4.3 表面粗糙度和平面度

表面粗糙度不大于0.02μm。平面度不大于0.02mm。

4.4 產(chǎn)品性能

產(chǎn)品性能包括透過(guò)率、透過(guò)率均勻性、光輸出和輻照硬度四項(xiàng)指標(biāo)。產(chǎn)品性能應(yīng)滿足表1中的指標(biāo)。

5 檢測(cè)方法

5.1 外觀質(zhì)量

產(chǎn)品外觀用目測(cè)法進(jìn)行檢測(cè)。

5.2 尺寸公差

產(chǎn)品的外形尺寸采用GB/T 21389 規(guī)定的精度不低于0.02mm的游標(biāo)卡尺測(cè)量。

5.3 表面粗糙度和平面度

表面粗糙度采用精度不低于0.01μm的粗糙度儀進(jìn)行測(cè)量。平面度采用精度不低于0.01mm的坐標(biāo)儀進(jìn)行測(cè)量。

5.4 產(chǎn)品性能

5.4.1 晶體透過(guò)率

采用具有積分球的雙光束分光光度計(jì)測(cè)量，分光光度計(jì)的波長(zhǎng)范圍300nm-700m，精度±0.5%。

5.4.2 晶體透過(guò)率均勻性

從距離晶體一端面15mm起沿晶體縱軸方向每間隔20mm取一點(diǎn)，按照5.4.1的規(guī)定測(cè)量該點(diǎn)處垂直于產(chǎn)品縱軸方向的透過(guò)率，取各點(diǎn)處透過(guò)率為50%時(shí)所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)值，這些波長(zhǎng)值中*大值與*小值之差即為晶體的透過(guò)率均勻性值。

5.4.3 晶體光輸出

5.4.3.1 檢測(cè)條件潤(rùn)出率

測(cè)量環(huán)境條件、測(cè)量系統(tǒng)、測(cè)量要求和安全要求應(yīng)符合GB/T 13181中4.1~4.4的相關(guān)規(guī)定。

5.4.3.2 樣品準(zhǔn)備

晶體應(yīng)在200℃的烘箱中保溫3h并自然冷卻，測(cè)試時(shí)晶體溫度應(yīng)保持在20℃±0.5℃。

5.4.3.3 檢測(cè)方法

采用QVT多道譜儀進(jìn)行檢測(cè)。晶體一端與光電倍增管耦合，其他外表面用一層 Tyvek反射材料包裹，晶體另一端面上放置放射源，放射源應(yīng)符合GB/T 4075 的要求。

晶體應(yīng)垂直耦合于光電倍增管光窗上，光電倍增管可用XP2262 B，積分時(shí)間設(shè)為100ns。

5.4.3.4 計(jì)算方法

晶體光輸出按照單光電子一全吸收峰法進(jìn)行測(cè)量并按照式(1)計(jì)算。

LY=(Vi-V0/[(Vs-V0)×E]……………………………(1)

式中:

LY——待測(cè)晶體光輸出值，單位為光電子數(shù)每兆電子伏(photon electron/MeV)；

…………

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